FRAM breakout board, 10 trillion read/write cycles, 95 years data retention, 20MHz clock, data buffer storage module

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Descripción

FRAM breakout board, 10 trillion read/write cycles, 95 years data retention, 20MHz clock, data buffer storage module

①. FRAM is non-volatile and can easily be read/written 10 trillion times. ②. It's similar to Dynamic random-access memory (DRAM), only with a ferroelectric layer instead of a dielectric layer. ③. It is particularly suitable for use with low power data loggers and for buffering data in the absence of a stable voltage source. ④. The FRAM chip used provides 8 KB of memory, and uses a clock up to 20 MHz. ⑤. Each byte can be read and written instantaneously, but will keep the memory for 95 years at room temperature. ⑥. Features: FRAM is non-volatile and can easily be read/written 10 trillion times. ⑦. It's similar to Dynamic random-access memory (DRAM), only with a ferroelectric layer instead of a dielectric layer. ⑧. The FRAM chip used provides 8 KB of memory, and uses a clock up to 20 MHz. ⑨. Each byte can be read and written instantaneously, but will keep the memory for 95 years at room temperature. ⑩. Specification: Addr: 1010+A2+A1+A0; Default: 0 x 50; VCC/Logic: 2.7-5.5V ⑪. Package List: 1 x FRAM Breakout Board
  • Nº de Fruugo : 458030398-965136203

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Fabricante:
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  • Guangzhou Qiyi E-commerce Co., Ltd.
  • LnitOne5
  • 3 Tangdong East Road, Unit 216, G282
  • Tianhe District
  • Guangzhou
  • china
  • 510620
  • qiyisecond@163.com
  • 16620020838

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