Este es el primer libro que describe a fondo las múltiples facetas del dopaje en semiconductores compuestos. Se hace el mismo hincapié en la física fundamental de los materiales y en los aspectos tecnológicos del dopaje. El autor describe en detalle todas las diversas técnicas, incluyendo el dopaje durante el crecimiento epitaxial, el dopaje por implantación y el dopaje por difusión. Se discuten las características clave de todos los dopantes que se han empleado en los semiconductores IIIâV. Además, se analizan las características generales de los dopantes, incluyendo la actividad eléctrica, la saturación, la anfotericidad, la autocompensación y la concentración máxima alcanzable de dopantes. También se discute el tema actual de los semiconductores altamente dopados. Se resumen los niveles profundos tecnológicamente importantes. Las propiedades de los niveles profundos se presentan fenomenológicamente. El último capítulo está dedicado a la caracterización experimental de impurezas. Idioma: Inglés