La fabricación de memoria flash, que es la tecnología de memoria no volátil dominante, se enfrenta a severas barreras técnicas. Tanto es así que se han propuesto algunas tecnologías emergentes como alternativas a la memoria flash en el nano-régimen. Diseño de memoria no volátil: resistiva magnética y cambio de fase presenta tres candidatos prometedores: memoria de cambio de fase, memoria magnética de acceso aleatorio y memoria de acceso aleatorio resistiva. El texto ilustra el mecanismo de almacenamiento fundamental de estas tecnologías y examina sus diferencias con las técnicas de memoria flash. Sobre la base de los últimos avances, los autores discuten las metodologías de diseño clave, así como las diversas funciones y capacidades de las tres tecnologías de memoria no volátil. . Idioma: Inglés