Características: Nuevo y de alta calidad Además de la memoria principal, el AT45DB081E incluye dos búferes SRAM de 256/264 bytes cada uno. Estos búferes permiten la recepción de datos mientras se reprograma una página de la memoria principal. El entrelazado entre ambos búferes aumenta considerablemente la capacidad del sistema para escribir un flujo continuo de datos. Asimismo, los búferes SRAM pueden utilizarse como memoria de trabajo adicional del sistema, y ​​la emulación de la PROM E2 (modificación de bits o bytes) se gestiona fácilmente mediante una operación de lectura-modificación-escritura en tres pasos. El AT45DB081E también es compatible con la interfaz serie RapidS para aplicaciones que requieren una velocidad de funcionamiento muy alta. Sus 8.650.752 bits de memoria están organizados en 4.096 páginas de 256 o 264 bytes cada una. La AT45DB081E es una memoria Flash de acceso secuencial con interfaz serie, que funciona con un voltaje mínimo de 1,7 V. Es ideal para una amplia variedad de aplicaciones de voz digital, imágenes, código de programa y almacenamiento de datos. Utiliza una interfaz serie para acceder a sus datos de forma secuencial. El acceso secuencial simplificado reduce drásticamente el número de pines activos, facilita un diseño de hardware más sencillo, aumenta la fiabilidad del sistema, minimiza el ruido de conmutación y reduce el tamaño del encapsulado. Especificaciones: Material: Plástico + Metal Tamaño: Aprox. 5 x 8 mm / 0,19 x 0,31 pulgadas Nota: 1. Tenga en cuenta que puede haber un margen de error de 1-2 cm debido a la medición manual. Asegúrese de que esto no le suponga un problema antes de realizar el pedido. 2. Debido a las diferencias entre monitores, la imagen puede no reflejar el color real del artículo. El paquete incluye: 5 chips de memoria