MB85RC256V Non-Volatile FRAM Breakout Board with MB Memory and 32KB I2C Storage

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MB85RC256V Non-Volatile FRAM Breakout Board with MB Memory and 32KB I2C Storage

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Descripción

1,FRAM is non-volatile and can easily be read or written 10 trillion times. 2,It's similar to Dynamic random-access memory (DRAM), only with a ferroelectric layer instead of a dielectric layer. 3,It is particularly suitable for use with low power data loggers and for buffering data in the absence of a stable voltage source. 4,The FRAM chip used provides 8 KB of memory, and USES a clock up to 20 MHz. 5,Each byte can be read and written instantaneously, but will keep the memory for 95 years at room temperature. Features: FRAM is non-volatile and can easily be read or written 10 trillion times. It's similar to Dynamic random-access memory (DRAM), only with a ferroelectric layer instead of a dielectric layer. The FRAM chip used provides 8 KB of memory, and USES a clock up to 20 MHz. Each byte can be read and written instantaneously, but will keep the memory for 95 years at room temperature. Specification: Condition: Addr: 1010andA2andA1andA0 Default: 0 x 50 VCC or Logic: 2.7-5.5V Package List: 1 x FRAM Breakout Board Note: Due to the light and screen setting difference, the item's color may be slightly different from the pictures. Please allow slight dimension difference due to different manual measurement.
  • Nº de Fruugo : 434125810-911219184
  • EAN: 7846361093663

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Fabricante:
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  • Hefei Zheshuo Technology Co., Ltd.
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  • Hefei City, Anhui Province, Shushan District, Anhui Province, No. 15, South Seventh Street, South Cooperative South Road, Chemical Machinery Community, Building 1, Unit 2, 603
  • Hefei
  • CN
  • 523011
  • nacufalacan81@hotmail.com
  • 13243801962

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  • Jean Luc
  • In Memoria Futuri SAS
  • 3 RUE DU PAS DE LA MULE 75004 PARIS
  • Paris
  • France
  • 75004
  • infoapexchen@gmail.com
  • 33745713901